项目负责人：邱永福

项目简介：

针对发展结构/功能一体化的中子屏蔽材料需求，国内外开展了大量研究。目前国内外通常在真空或惰性气氛下高温烧结制备中子屏蔽材料，该工艺条件苛刻，并且高温条件会耗费大量能源，不符合“碳中和”理念；如何使得中子屏蔽材料保持高硼和不含氢元素的前提下，降低烧结温度和扩宽加工工艺条件成为业界需要解决的一个关键问题。为解决上述问题，在本专利中提供了一种高强度高硼含量无氢中子屏蔽材料及其制备方法，该中子屏蔽材料具有力学强度高特点，同时具有制备工艺简单和制造成本较低的优点。

应用范围：原子能工业、放射医学和国防科研机构。

技术特性：本新型的高强度高硼含量无氢中子辐射屏蔽复合材料的密度在1.6~1.8 g/cm3之间，致密度在63%~70%之间，抗压强度在29~65MPa之间。

授权专利：国家发明专利ZL201810051927.6

推广使用：广东省省基科技计划项目，应用到中国散裂中子源中子屏蔽墙。

成果图片：

图1中子辐射屏蔽复合材料NSM-63在有无载砝码的照片

图2. 中子辐射屏蔽复合材料NSM-63的抗压曲线图